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Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
10
10
150 C
25 C
-55 C
10
10
1
0
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
1
0
o
o
o
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
4
6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
10
1.5
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
1
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.0
0
V GS = 20V
150 ℃
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
5
10
15
20
25
30
35
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
3000
2500
2000
1500
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1000
500
C rss
※ Notes ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 13A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20 30
Q G , Total Gate Charge [nC]
40
50
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF13N50CF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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